IRS21953SPBF
Figure 1: Switching Time Waveforms
Shoot Through Prevention Logic
HIN1
1
0
0
1
1
0
1
0
LIN1
0
1
0
1
0
1
1
0
LIN2
0
0
1
0
1
1
1
0
HO1
1
0
0
0
0
0
0
0
LO1
0
1
0
0
0
1
0
0
LO2
0
0
1
0
0
1
0
0
7
相关PDF资料
IRS21956SPBF IC DVR HI SIDE/DUAL LOW 20-SOIC
IRS21962SPBF IC DVR HI SIDE DUAL 600V 16-SOIC
IRS2301SPBF IC DVR HI/LOW SIDE 600V 8-SOIC
IRS2302SPBF IC DRIVER HALF-BRIDGE 8SOIC
IRS2304PBF IC DRIVER HALF-BRIDGE 600V 8-DIP
IRS2308PBF IC DRIVER HALF-BRIDGE 600V 8-DIP
IRS2332DSPBF IC BRIDGE DVR 3PH 600V 28-SOIC
IRS2334SPBF IC MOSFET DRIVER
相关代理商/技术参数
IRS21953STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hi Sd & Dual Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS21956 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Floating Input, High and Low(Dual mode) Side Driver
IRS21956S 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Floating Input, High and Low(Dual mode) Side Driver
IRS21956SPBF 功能描述:功率驱动器IC High Low Dual DRVR 600V 4.5V 300ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS21956STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Dual Drvr IC w/ floating Inpt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS21962 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Dual channel high-side drivers with floating input
IRS21962SPBF 功能描述:功率驱动器IC DUAL CH HI-SIDE DRVR 600V 0.5A 90ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS21962STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Dual Hi Side Drvr W/floating input RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube